鉬基片臺

1. 產(chǎn)品概述

MPCVD（微波等離子體化學(xué)氣相沉積）鉬基片臺是一種專為高溫、高壓環(huán)境設(shè)計的關(guān)鍵部件，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、光學(xué)涂層、金剛石薄膜沉積等領(lǐng)域。鉬基片臺以其優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、高熔點和良好的機械性能，成為MPCVD設(shè)備中不可或缺的核心組件。

2. 產(chǎn)品特點

• 高熔點：鉬的熔點高達(dá)2620°C，適合極端高溫環(huán)境。

• 優(yōu)異的熱導(dǎo)率：確保基片臺表面溫度均勻分布，避免局部過熱。

• 高機械強度：在高應(yīng)力條件下保持穩(wěn)定，延長使用壽命。

• 耐腐蝕性：在化學(xué)活性氣體中表現(xiàn)出色，適合復(fù)雜工藝環(huán)境。

• 高純度：采用高純度鉬材料，減少雜質(zhì)污染，提升沉積薄膜質(zhì)量。

• 定制化設(shè)計：可根據(jù)客戶需求提供不同尺寸、形狀和表面處理的基片臺。

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

• 半導(dǎo)體制造：用于硅片、GaN、SiC等材料的沉積。

• 光學(xué)涂層：用于增透膜、反射膜等光學(xué)薄膜的制備。

• 金剛石薄膜沉積：用于工具、模具等表面的金剛石涂層。

• 科研實驗：適用于高溫高壓條件下的材料研究和新工藝開發(fā)。

4. 技術(shù)參數(shù)

• 材質(zhì)：高純度鉬（Mo）

• 熔點：2620°C

• 熱導(dǎo)率：138 W/m·K

• 密度：10.2 g/cm3

• 純度：≥99.95%

• 尺寸：支持定制（直徑、厚度等）

• 表面處理：可提供拋光、涂層等定制化處理

5. 產(chǎn)品優(yōu)勢

• 高性能：在極端條件下保持穩(wěn)定，確保工藝一致性。

• 長壽命：耐高溫、耐腐蝕，減少設(shè)備停機時間和維護成本。

• 高精度：表面平整度高，確保薄膜沉積均勻性。

• 定制化服務(wù)：根據(jù)客戶需求提供個性化設(shè)計和制造服務(wù)。

• 優(yōu)質(zhì)售后服務(wù)：提供全面的技術(shù)支持和維護服務(wù)。

6. 使用與維護

• 安裝：確保基片臺與設(shè)備匹配，避免機械應(yīng)力。

• 清潔：定期清理表面污染物，保持高純度和性能。

• 檢查：定期檢查磨損和腐蝕情況，及時更換或維護。

7. 適用設(shè)備

• MPCVD設(shè)備

• 化學(xué)氣相沉積（CVD）設(shè)備

• 等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備

• 其他高溫薄膜沉積設(shè)備

MPCVD鉬基片臺憑借其優(yōu)異的性能和可靠性，在半導(dǎo)體、光學(xué)涂層和金剛石薄膜沉積等領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。無論是大規(guī)模生產(chǎn)還是科研實驗，鉬基片臺都能提供高效、穩(wěn)定的支持，是MPCVD設(shè)備中的核心組件。

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